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IGBT單管特性檢驗(yàn)實(shí)訓(xùn)箱

一、配置鋁合金箱體,鋁塑板面板, 12V開(kāi)關(guān)電源,110V開(kāi)關(guān)電源,頻率可調(diào)高頻信號(hào)發(fā)生器,IGBT管,MOS管,普通三極管,電機(jī),開(kāi)關(guān),交流接觸器,電源線,電壓表,電流表,頻率表,用電器,三極管MOS管插座,各種不同數(shù)值的保險(xiǎn)絲管,8格器件盒。二、功能1.IGBT高頻特性試驗(yàn)——通過(guò)高頻信號(hào)發(fā)生器,同時(shí)給IGBT管的柵極G和普通三極管的基極B加控制信號(hào),發(fā)射極E接地,集電極C加一上拉電阻,用雙通

一、配置

鋁合金箱體,鋁塑板面板, 12V開(kāi)關(guān)電源,110V開(kāi)關(guān)電源,頻率可調(diào)高頻信號(hào)發(fā)生器,IGBT管,MOS管,普通三極管,電機(jī),開(kāi)關(guān),交流接觸器,電源線,電壓表,電流表,頻率表,用電器,三極管MOS管插座,各種不同數(shù)值的保險(xiǎn)絲管,8格器件盒。

二、功能

1.IGBT高頻特性試驗(yàn)——通過(guò)高頻信號(hào)發(fā)生器,同時(shí)給IGBT管的柵極G和普通三極管的基極B加控制信號(hào),發(fā)射極E接地,集電極C加一上拉電阻,用雙通道示波器同時(shí)觀測(cè)基極B和集電極C信號(hào)波形,從低到高逐步增大信號(hào)頻率,觀測(cè)輸入輸出波形什么時(shí)候開(kāi)始有不同步現(xiàn)象,分別記錄下IGBT管和普通三極管或者M(jìn)OS管的不同步時(shí)的頻率數(shù)值。對(duì)于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較,可以得出結(jié)論:IGBT有高頻適應(yīng)特性。

2.IGBT大電流特性——通過(guò)給IGBT柵極B加一個(gè)小電流低電壓控制信號(hào),控制IGBT管導(dǎo)通和切斷,發(fā)射極接地,集電極通過(guò)+12V電源和保險(xiǎn)絲連接一個(gè)電機(jī),IGBT管導(dǎo)通,電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn),IGBT管截止,電機(jī)停止運(yùn)轉(zhuǎn)。觀察此時(shí)流過(guò)電機(jī)的電流大小,做記錄。然后用同樣的方法和步驟,用普通三極管或者M(jìn)OS管替代IGBT管,觀察電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)情況,同時(shí)記錄下電機(jī)停轉(zhuǎn)的電流值。比較不同管子的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)情況,得出結(jié)論,IGBT有大電流適應(yīng)特性。

3.IGBT高電壓特性——給IGBT柵極G加一個(gè)小電流低電壓控制信號(hào),控制IGBT管導(dǎo)通和切斷,發(fā)射極接地,集電極通過(guò)110V開(kāi)關(guān)電源和保險(xiǎn)絲連接一個(gè)用電器,觀察用電器和IGBT管工作情況。用普通三極管或者M(jìn)OS管替代IGBT管,觀察用電器盒三極管情況,同時(shí)記錄下現(xiàn)象。比較不同管子的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象和電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)情況,得出結(jié)論,IGBT有高電壓適應(yīng)特性。

三、技術(shù)參數(shù)

1.箱體長(zhǎng)×寬×高:435×325×200mm;

2.工作電壓:AC220V  DC12V  DC110V

3.重量:約5KG


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